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IXFT86N30T

更新时间： 2024-11-05 11:14:07

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6页	175K
描述
Trench HiperFET Power MOSFET

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IXFT86N30T 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-268AA	包装说明：	PLASTIC, TO-268, 3 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	300 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	86 A
最大漏极电流 (ID)：	86 A	最大漏源导通电阻：	0.043 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	830 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	190 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFT86N30T 数据手册

Advance Technical Information

Trench^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 300V

I_D25= 86A

R_DS(on)≤ 43mΩ

IXFH86N30T

IXFT86N30T

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

TO-247 (IXFH)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

300

D (Tab)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-268 (IXFT)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

190

I_A

E_AS

T_C= 25°C

D (Tab)

P_D

T_C= 25°C

830

dV/dt

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_J

-55 to +150

+150

°C

T_JM

T_stg

-55 to +150

Features

T_L

1.6mm (0.063in) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

^zHigh Current Handling Capability

^zFast Intrinsic Rectifier

T_SOLD

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

6.0

4.0

Low R_DS(on)

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

300

3.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

5.0

Applications

±200 nA

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

I_DSS

50 μA

1.75 mA

T_J= 125°C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

R_DS(on)

43 mΩ

^zDC Choppers

^zAC Motor Drives

^zUninterruptible Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

DS100208(11/09)

12 3 4 5 6

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IXFT86N30T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTQ88N30P	IXYS	功能相似	PolarHTTM Power MOSFET
IXFK88N30P	IXYS	功能相似	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFH88N30P	IXYS	功能相似	Polar HiPerFET Power MOSFET

与IXFT86N30T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFT88N30P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFT88N30P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFT94N30P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFT94N30T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFT96N20P	IXYS	获取价格	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFT96N20P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFT9N80Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFTN100	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFV10N100P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFV10N100PS	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET

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