IXFT80N15Q

更新时间： 2024-02-13 01:16:06

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXFT80N15Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-268
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.0225 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFT80N15Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

V_DSS= 150

I_D25= 80

IXFH 80N15Q

IXFK 80N15Q

IXFT 80N15Q

R_DS(on)= 22.5 mW

£ 200 ns

t_rr

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated, Highdv/dt, LowQ_g

Preliminary data sheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 AD (IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

150

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

320

TO-268 (D3) ( IXFT)

(TAB)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

TO-264 AA (IXFK)

P_D

T_C= 25°C

360

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (TAB)

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

300

°C

G = Gate

S = Source

M_d

Mounting torque

TO-247

TO-264

1.13/10 Nm/lb.in.

0.9/6 Nm/lb.in.

TAB = Drain

Weight

Symbol

TO-247

TO-264

TO-268

Features

^lLow gate charge

^lInternational standard packages

TestConditions

Characteristic Values

Epoxy meet UL 94 V-0, flammability

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

classification

min. typ. max.

^lLow R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

^lRugged polysilicon gate cell structure

^lAvalanche energy and current rated

^lFast intrinsic Rectifier

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 uA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

150

2.0

V_GS(th)

4.0

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

25 mA

Advantages

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Easy to mount

Space savings

High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

22.5 mW

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

98725 (05/31/00)

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