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IXFT86N30T

更新时间： 2023-12-06 20:13:16

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
7页	208K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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IXFT86N30T 数据手册

Trench^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 300V

I_D25= 86A

R_DS(on) 46m

IXFH86N30T

IXFT86N30T

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

TO-247 (IXFH)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

300

D (Tab)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

TO-268 (IXFT)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

190

I_A

E_AS

T_C= 25C

1.5

D (Tab)

P_D

T_C= 25C

860

dV/dt

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_J

-55 to +150

+150

C

T_JM

T_stg

-55 to +150

Features

T_L

1.6mm (0.063in) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260



C

^International Standard Packages

^Avalanche Rated

^High Current Handling Capability

^Fast Intrinsic Rectifier

T_SOLD

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

6.0

4.0



Low R_DS(on)

Advantages



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

300

3.0

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

5.0

Applications

200 nA

^DC-DC Converters

^Battery Chargers

I_DSS

25 A

1 mA

T_J= 125C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

^Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

R_DS(on)

46 m

^DC Choppers

^AC Motor Drives

^Uninterruptible Power Supplies

^High Speed Power Switching

DS100208A(03/14)

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