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IXFT120N15P

更新时间： 2024-11-05 11:14:07

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5页	177K
描述
PolarHT HiPerFET Power MOSFET

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IXFT120N15P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-268AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.36
其他特性：	AVALANCHE ENERGY RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (ID)：	120 A
最大漏源导通电阻：	0.016 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	260 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Pure Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFT120N15P 数据手册

PolarHT^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFH 120N15P

IXFT 120N15P

V_DSS= 150 V

I_D25= 120 A

R_DS(on)≤ 16 mΩ

t_rr

≤ 200 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Energy Rated

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 175° C

T_J= 25° C to 175° C; R_GS= 1 MΩ

150

V_DSS

V_GSM

Continuous

Transient

D (TAB)

I_D25

T_C=25° C

120

I_L(RMS)

I_DM

External lead current limit

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

260

TO-268 (IXFT)

I_AR

T_C=25° C

E_AR

E_AS

T_C=25° C

2.0

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

D (TAB)

T_C=25° C

600

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic case for 10 s

300

260

°C

Features

M_d

Mounting torque

(TO-3P)

1.13/10 Nm/lb.in.

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Weight

TO-247

TO-268

6.0

5.0

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Advantages

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

150

Easy to mount

Space savings

High power density

3.0

5.0

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

500

µA

T_J= 175° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

16 mΩ

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99210E(12/05)

12 3 4 5

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IXFT120N15P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFT80N15Q	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFH120N15P	IXYS	功能相似	PolarHT HiPerFET Power MOSFET

与IXFT120N15P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFT120N25T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFT120N25T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 250V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXFT120N25X3HV	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFT120N25X3HV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFT120N30X3HV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFT120N30X3HV	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFT12N100	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family
IXFT12N100	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFT12N100F	IXYS	获取价格	HiPerRF Power MOSFETs
IXFT12N100Q	IXYS	获取价格	HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class

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