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IXFT80N10

更新时间： 2024-11-05 04:22:47

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描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFT80N10 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268
包装说明：	TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	80 A	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.0125 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFT80N10 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS= 100 V

I_D25= 80 A

R_DS(on)= 12.5 mΩ

IXFH 80N10

IXFT 80N10

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated,Highdv/dt

t ≤ 200 ns

Preliminary data sheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXFH)

V_DSS

V_DGR

V_GS

V_GSM

I_D25

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

Continuous

100

±20

±30

(TAB)

Transient

T_C= 25°C

I_L(RMS)

I_DM

Lead current limit

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

320

TO-268 ( IXFT) Case Style

I_AR

E_AR

T_C= 25°C

E_AS

2.5

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

(TAB)

P_D

T_J

T_C= 25°C

300

-55 to +150

150

°C

G = Gate

S = Source TAB = Drain

= Drain

T_JM

T_stg

-55 to +150

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-247

TO-268

International standard packages

Low R_{DS (on)}

Rated for unclamped Inductive load

switching (UIS)

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ.

max.

Advantages

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

100

2.0

Easy to mount

Space savings

V_GS(th)

4.0

High power density

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

µA

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

12.5 mΩ

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

98739 (8/00)

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP80N10T	IXYS	类似代替	TrenchMVTM Power MOSFET
IXFH80N10	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs

与IXFT80N10相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXFT80N15Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT80N20Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT80N65X2HV	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFT80N65X2HV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXFT86N30T	IXYS	获取价格	Trench HiperFET Power MOSFET
IXFT86N30T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFT88N30P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFT88N30P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFT94N30P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的

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