Datasheet > IXFT80N10Q

IXFT80N10Q

更新时间： 2024-11-18 12:20:15

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
2页	55K
描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFT80N10Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-268
包装说明：	TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	80 A	最大漏源导通电阻：	0.015 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IXFT80N10Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFH 80N10Q V_DSS

= 100 V

= 80 A

IXFT 80N10Q

I_D25

R_DS(on)= 15 mW

t_rr£ 200ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dV/dt

Low Gate Charge and Capacitances

Preliminary data

TO-247 AD (IXFH)

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

100

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

320

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-268 (IXFT) Case Style

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

(TAB)

P_D

T_C= 25°C

360

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Features

M_d

Mountingtorque

(TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

• IXYS advanced low gate charge

process

• Internationalstandardpackages

• Low gate charge and capacitance

- easier to drive

Weight

TO-247AD

TO-268

- faster switching

• Low R_{DS (on)}

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

• Molding epoxies meet UL94V-0

flammabilityclassification

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

100

2.0

±100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

15 mW

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98592B(7/00)

1 - 2

中文翻译

下载PDF

与IXFT80N10Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFT80N15Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT80N20Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT80N65X2HV	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFT80N65X2HV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXFT86N30T	IXYS	获取价格	Trench HiperFET Power MOSFET
IXFT86N30T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFT88N30P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFT88N30P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFT94N30P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFT94N30T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低

与IXFT80N10Q相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

36

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFT80N10Q

IXFT80N10Q 技术参数

IXFT80N10Q 数据手册

与IXFT80N10Q相关器件

与IXFT80N10Q相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFT80N10Q

IXFT80N10Q 技术参数

IXFT80N10Q 数据手册

与IXFT80N10Q相关器件

与IXFT80N10Q相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？