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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-268 |
| 包装说明： | TO-268, 3 PIN | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 80 A | 最大漏源导通电阻： | 0.009 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-268 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IXFT80N085 | IXYS | HiPerFETTM Power MOSFETs |
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| IXFT80N10 | IXYS | HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFT80N10Q | IXYS | HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFT80N15Q | IXYS | HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFT80N20Q | IXYS | HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFT80N65X2HV | LITTELFUSE | Power Field-Effect Transistor, |
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ADXL345传感器工作原理、参数分析、引脚说明
一文带你了解，DAC0832工作原理、输出电压范围、分辨率等参数
ACS712电流检测使用指南及资料手册参数分析
TLP521资料手册解读：参数分析、引脚说明、典型电路
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