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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-268 |
| 包装说明： | TO-268, 3 PIN | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 80 A | 最大漏源导通电阻： | 0.009 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-268 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFT80N085 | IXYS |
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HiPerFETTM Power MOSFETs |
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| IXFT80N10 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFT80N10Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFT80N15Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFT80N20Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFT80N65X2HV | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFT80N65X2HV | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| IXFT86N30T | IXYS |
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Trench HiperFET Power MOSFET |
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| IXFT86N30T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXFT88N30P | IXYS |
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Polar HiPerFET Power MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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