是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-268 |
包装说明: | TO-268, 3 PIN | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.72 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 80 V |
最大漏极电流 (ID): | 80 A | 最大漏源导通电阻: | 0.009 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-268 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFT80N085 | IXYS |
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HiPerFETTM Power MOSFETs | |
IXFT80N10 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFT80N10Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFT80N15Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFT80N20Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFT80N65X2HV | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFT80N65X2HV | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor | |
IXFT86N30T | IXYS |
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Trench HiperFET Power MOSFET | |
IXFT86N30T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXFT88N30P | IXYS |
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Polar HiPerFET Power MOSFET |