5秒后页面跳转
IXFT80N08 PDF预览

IXFT80N08

更新时间: 2024-11-05 17:19:43
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 201K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-268, TO-268, 3 PIN

IXFT80N08 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-268
包装说明:TO-268, 3 PIN针数:4
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.72其他特性:AVALANCHE RATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:80 V
最大漏极电流 (ID):80 A最大漏源导通电阻:0.009 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-268
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IXFT80N08 数据手册

 浏览型号IXFT80N08的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFT80N08的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFT80N08的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXFT80N08的Datasheet PDF文件第5页 

与IXFT80N08相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFT80N085 IXYS

获取价格

HiPerFETTM Power MOSFETs
IXFT80N10 IXYS

获取价格

HiPerFET Power MOSFETs
IXFT80N10Q IXYS

获取价格

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT80N15Q IXYS

获取价格

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT80N20Q IXYS

获取价格

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT80N65X2HV LITTELFUSE

获取价格

Power Field-Effect Transistor,
IXFT80N65X2HV IXYS

获取价格

Power Field-Effect Transistor
IXFT86N30T IXYS

获取价格

Trench HiperFET Power MOSFET
IXFT86N30T LITTELFUSE

获取价格

沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低
IXFT88N30P IXYS

获取价格

Polar HiPerFET Power MOSFET