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IXFT7N90Q

更新时间： 2024-11-21 14:55:19

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFT7N90Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	700 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A
最大漏极电流 (ID)：	7 A	最大漏源导通电阻：	1.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	180 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	28 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFT7N90Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFH 7N90Q V_DSS

IXFT 7N90Q I_D25

= 900 V

7 A

= 1.5 Ω

R_DS(on)

t_rr≤ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated, LowQ_g,Highdv/dt

PreliminaryData

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

900

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C,

pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-268 (D3) ( IXFT)

I_AR

700

E_AR

E_AS

dv/dt

T_C= 25°C

(TAB)

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

P_D

T_C= 25°C

180

G = Gate

= Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

S = Source

TAB = Drain

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

M_d

1.13/10

Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-247

TO-268

IXYS advanced low Q_gprocess

Low gate charge and capacitances

- easier to drive

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

- faster switching

min.

typ.

max.

International standard packages

Low R_{DS (on)}

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 2.5 mA

900

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

V_GS(th)

3.0

5.0

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

I_GSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

Advantages

I_DSS

V_DS= 0.8 V_DSS

V_GS= 0 V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

µA

Easy to mount

Space savings

R_DS(on)

= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

1.5

Ω

P^Gu^Slse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

High power density

DS98645A(12/02)

12 3

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