IXFT69N30P

更新时间： 2024-11-05 12:20:15

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
Polar HiPerFET Power MOSFET

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IXFT69N30P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-268AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	300 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	69 A	最大漏极电流 (ID)：	69 A
最大漏源导通电阻：	0.049 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	500 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFT69N30P 数据手册

Polar^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 300V

I_D25= 69A

R_DS(on)≤ 49mΩ

t_rr≤ 200ns

IXFH69N30P

IXFT69N30P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247 (IXFH)

Fast Intrinsic Diode

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

300

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

TO-268 (IXFT)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

200

I_A

T_C= 25°C

D (Tab)

E_AS

1.5

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

T_C= 25°C

500

Tab = Drain

T_J

-55 to +150

+150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 to +150

^zInternational Standard Packages

^zFast Intrinsic Diode

T_L

1.6mm (0.063in) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

T_SOLD

^zAvalanche Rated

^zLow R_DS(ON)and Q_G

^zLow Package Inductance

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

Advantages

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

^zSpace Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

300

2.5

Typ.

Max.

^zDC-DC Coverters

^zBattery Chargers

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250µA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

5.0

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

±100 nA

^zDC Choppers

I_DSS

25 µA

^zAC and DC Motor Drives

T_J= 125°C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

250 µA

Uninterrupted Power Supplies

High Speed Power Switching

R_DS(on)

49 mΩ

Applications

DS99220F(10/09)

12 3 4 5

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IXFT70N30Q3	LITTELFUSE	获取价格	Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和
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