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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 700 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-268 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFT6N100Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFT6N100Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFT70N15 | IXYS |
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HiPerFETTM Power MOSFETs |
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| IXFT70N30Q3 | IXYS |
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HiperFET Power MOSFETs Q3-Class |
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| IXFT70N30Q3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 |
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| IXFT74N20 | IXYS |
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HIPERFET POWER MOSFETs |
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| IXFT75N10Q | IXYS |
获取价格 |
HIPER FET POWER MOSFETS Q CLASS |
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| IXFT7N90Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class |
|
| IXFT7N90Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFT80N08 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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