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IXFT60N60X3HV

更新时间： 2024-11-06 14:56:59

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅栅极
页数	文件大小	规格书
7页	938K
描述
600V X3-Class超级结MOSFET IXFT60N60X3HV的标称额定电流为60A，提供TO-268HV封装。这些功率MOSFET具有显著降低的通道电阻RDS(on)和栅极电荷Qg。

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IXFT60N60X3HV 数据手册

X3-Class

V_DSS= 600V

I_D25= 60A

R_DS(on) 51m

IXFT60N60X3HV

HiPerFET^TM

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-268HV

(IXFT..HV)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

600

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25C

Features

E_AS

1.7

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns



International Standard Package

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated



625

T_J

-55 ... +150

150

C

Low Package Inductance

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Advantages

T_SOLD

Plastic Body for 10s

260

°C



High Power Density

Weight



Easy to Mount

Space Savings



Applications



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

600



Robotics and Servo Controls

3.5

5.0

100 nA

I_DSS

35 A

T_J= 125C

1.5 mA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

51 m

DS101032B(04/21)

12 3 4 5 6 7

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