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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-268 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 2500 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 60 A | 最大漏极电流 (ID)： | 60 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.033 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-268 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFT60N20F | IXYS |
获取价格 |
HiPerRF Power MOSFET F-Class: MegaHertz Switching |
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| IXFT60N25Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFT60N50P3 | IXYS |
获取价格 |
Polar3 HiperFET Power MOSFET |
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| IXFT60N50P3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的 |
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| IXFT60N60X3HV | LITTELFUSE |
获取价格 |
600V X3-Class超级结MOSFET IXFT60N60X3HV的标称额定电流为6 |
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| IXFT60N65X2HV | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFT66N20Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFT68N20 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET POWER MOSFETs |
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| IXFT69N30P | IXYS |
获取价格 |
Polar HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFT69N30P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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