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IXFT60N65X2HV

更新时间： 2024-11-05 20:11:15

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力特 - LITTELFUSE		/
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7页	199K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFT60N65X2HV 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
Base Number Matches：	1

IXFT60N65X2HV 数据手册

X2-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 650V

I_D25= 60A

R_DS(on) 52m

IXFT60N65X2HV

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-268HV (IXFT)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

G = Gate

S = Source

= Drain

T_J= 25C to 150C

650

Tab = Drain

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

120

I_A

T_C= 25C

Features

E_AS

2.5



High Voltage Package

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns



780

Low Package Inductance

T_J

-55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Advantages

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



High Power Density

Easy to Mount



Weight



Space Savings

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

650



3.5

5.0



100 nA

I_DSS

25 A

T_J= 125C

2.5 mA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

52 m

DS100693A(03/16)

12 3 4 5 6 7

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