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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-268AA | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1500 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 60 A | 最大漏极电流 (ID)： | 60 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.038 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-268AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 315 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFT60N25Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFT60N50P3 | IXYS |
获取价格 |
Polar3 HiperFET Power MOSFET |
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| IXFT60N50P3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的 |
|
| IXFT60N60X3HV | LITTELFUSE |
获取价格 |
600V X3-Class超级结MOSFET IXFT60N60X3HV的标称额定电流为6 |
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| IXFT60N65X2HV | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXFT66N20Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
|
| IXFT68N20 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET POWER MOSFETs |
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| IXFT69N30P | IXYS |
获取价格 |
Polar HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFT69N30P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFT6N100F | IXYS |
获取价格 |
Power MOSFETs |
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