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IXFT50N60P3

更新时间： 2024-11-06 14:56:11

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力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
6页	173K
描述
PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的基准高性能Polar系列产品系列的最新成员。其高质量因数(FOM)是Qg的倍数，并在RDS(on)中可替

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IXFT50N60P3 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
Base Number Matches：	1

IXFT50N60P3 数据手册

Polar3^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 600V

I_D25= 50A

R_DS(on) 160m

IXFT50N60P3

IXFQ50N60P3

IXFH50N60P3

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-268 (IXFT)

Fast Intrinsic Rectifier

D (Tab)

TO-3P (IXFQ)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

600

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 30

 40

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

TO-247 (IXFH)

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

125

I_A

T_C= 25C

E_AS

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

D (Tab)

1040

T_J

-55 ... +150

150



C

G = Gate

S = Source

= Drain

T_JM

T_stg

Tab = Drain

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features

^Fast Intrinsic Rectifier

^Avalanche Rated

M_d

Mounting Torque (TO-247 & TO-3P)

1.13 / 10

Nm/lb.in

Weight

TO-268

TO-3P

TO-247

4.0

5.5

6.0

^Low R_DS(ON)and Q_G

^Low Package Inductance

Advantages

^High Power Density

^Easy to Mount

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

^Space Savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

5.0

Applications

          100 nA

^Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_DSS

25 A

2 mA

T_J= 125C

^DC-DC Converters

^Laser Drivers

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

160 m

^AC and DC Motor Drives

^Robotics and Servo Controls

DS100310B(04/14)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFT50N60P3-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFT50N60X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFT50N60X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFT50N85XHV	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFT52N30	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 300V V(BR)DSS \| 52A I(D) \| TO-268
IXFT52N30P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 300V, 0.066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFT52N30P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 300V, 0.066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFT52N30Q	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacita
IXFT52N30Q	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFT52N50P2	IXYS	获取价格	PolarP2 HiperFET Power MOSFET

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