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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFT52N30P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 300V, 0.066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXFT52N30P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 300V, 0.066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXFT52N30Q | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacita |
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| IXFT52N30Q | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFT52N50P2 | IXYS |
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PolarP2 HiperFET Power MOSFET |
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| IXFT52N50P2 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFT58N20 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFT58N20 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFT58N20Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFT58N20Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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