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IXFT52N30P

更新时间： 2024-11-18 14:51:43

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	580K
描述
Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 300V, 0.066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-268AA, TO-268, 3 PIN

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IXFT52N30P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.7	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	300 V	最大漏极电流 (ID)：	52 A
最大漏源导通电阻：	0.066 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	150 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFT52N30P 数据手册

Advanced Technical Information

IXFH52N30P

IXFT52N30P

V_DSS

I_D25

= 300 V

= 52 A

Polar^TMHiPerFET

Power MOSFET

R_DS(on)≤ 66 mΩ

t_rr≤ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode

Fast recovery intrinsic diode

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD (IXFH)

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

300

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GSM

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

150

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.0

TO-268 (IXFT)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 4 Ω

V/ns

T_C= 25°C

400

D (TAB)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mounting torque

(TO-3P)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-3P

TO-268

5.5

5.0

Features

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Fast intrinsic diode

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

300

2.5

5.0

Advantages

100 nA

Easy to mount

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

25 µA

250 µA

Space savings

T_J= 125°C

High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

66 mΩ

PolarHT^TMDMOStransistors

utilize proprietary designs and

process. US patent is pending.

DS99197(7/04)

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