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IXFT50N60P3-TRL

更新时间： 2024-01-14 20:12:44

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5页	140K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFT50N60P3-TRL 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
Base Number Matches：	1

IXFT50N60P3-TRL 数据手册

Polar3^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 600V

I_D25= 50A

R_DS(on) 160m

IXFT50N60P3

IXFQ50N60P3

IXFH50N60P3

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-268 (IXFT)

Fast Intrinsic Rectifier

D (Tab)

TO-3P (IXFQ)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

600

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 30

 40

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

TO-247 (IXFH)

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

125

I_A

T_C= 25C

E_AS

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

D (Tab)

1040

T_J

-55 ... +150

150



C

G = Gate

S = Source

= Drain

T_JM

T_stg

Tab = Drain

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features

^Fast Intrinsic Rectifier

^Avalanche Rated

M_d

Mounting Torque (TO-247 & TO-3P)

1.13 / 10

Nm/lb.in

Weight

TO-268

TO-3P

TO-247

4.0

5.5

6.0

^Low R_DS(ON)and Q_G

^Low Package Inductance

Advantages

^High Power Density

^Easy to Mount

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

^Space Savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

5.0

Applications

          100 nA

^Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_DSS

25 A

2 mA

T_J= 125C

^DC-DC Converters

^Laser Drivers

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

160 m

^AC and DC Motor Drives

^Robotics and Servo Controls

DS100310B(04/14)

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