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IXFT50N20

更新时间： 2024-11-17 22:07:55

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描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFT50N20 数据手册

HiPerFET^TM

V_DSS

I_D25R_DS(on)

Power MOSFETs

200V 42 A 60mW

200V 50 A 45mW

200V 58 A 40mW

IXFH/IXFM42N20

IXFH/IXFM/IXFT50N20

IXFH/IXFT58N20

N-Channel Enhancement Mode

High dv/dt, Low t_rr, HDMOS^TMFamily

t_rr£ 200 ns

TO-247AD(IXFH)

(TAB)

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

200

TO-268(D3)CaseStyle

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

42N20

50N20

58N20

42N20

50N20

58N20

42N20

50N20

58N20

168

200

232

(TAB)

TO-204 AE (IXFM)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

E_AR

T_C= 25°C

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

Features

P_D

T_C= 25°C

300

• Internationalstandardpackages

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

T_J

-55 ... +150

150

°C

• Ruggedpolysilicongatecellstructure

• UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

• Lowpackageinductance

- easy to drive and to protect

• FastintrinsicRectifier

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mountingtorque

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g

Applications

• DC-DC converters

• Synchronousrectification

• Batterychargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• DC choppers

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• ACmotorcontrol

• Temperatureandlightingcontrols

• Lowvoltagerelays

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 mA

200

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

Advantages

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

200 mA

• Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolatedmountingscrewhole)

• Highpowersurfacemountablepackage

• Highpowerdensity

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

91522H(2/98)

1 - 4

12 3 4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTA60N20T	IXYS	功能相似	N-Channel Enhancement Mode For PDP Drivers Avalanche Rated

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXFT50N50P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
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IXFT50N60P3	IXYS	获取价格	Polar3 HiperFET Power MOSFET
IXFT50N60P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
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IXFT50N60X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
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IXFT50N85XHV	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFT52N30	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 300V V(BR)DSS \| 52A I(D) \| TO-268

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