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IXTA60N20T

更新时间： 2024-11-18 12:28:27

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IXYS		驱动器光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	140K
描述
N-Channel Enhancement Mode For PDP Drivers Avalanche Rated

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IXTA60N20T 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.48	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	700 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	60 A	最大漏极电流 (ID)：	60 A
最大漏源导通电阻：	0.04 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	500 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	150 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTA60N20T 数据手册

Trench^TM

Power MOSFET

V_DSS= 200V

I_D25= 60A

R_DS(on)≤ 40mΩ

IXTA60N20T

IXTP60N20T

IXTQ60N20T

TO-263 AA (IXTA)

N-Channel Enhancement Mode

For PDP Drivers

Avalanche Rated

D (Tab)

TO-220AB (IXTP)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

200

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

D (Tab)

TO-3P (IXTQ)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

150

I_A

T_C= 25°C

700

500

E_AS

P_D

D (Tab)

= Drain

= Gate

= Source

T_J

-55 ... +175

175

°C

Tab = Drain

T_JM

T_stg

-55 ... +175

Features

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 Seconds

300

260

°C

^zHigh Current Handling Capability

^z175°C Operating Temperature

^zAvalanche Rated

M_d

Mounting Torque (TO-220 &TO-3P)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

^zFast Intrinsic Rectifier

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

Low R_DS(on)

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

200

3.0

Applications

5.0

±200 nA

μA

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

I_DSS

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

T_J= 150°C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

250 μA

40 mΩ

^zDC Choppers

^zAC Motor Drives

R_DS(on)

^zUninterruptible Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

DS99359B(7/10)

12 3 4

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IXTA60N20T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP60N20T	IXYS	完全替代	N-Channel Enhancement Mode For PDP Drivers Avalanche Rated
IXFT50N20	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs

与IXTA60N20T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA60N20T-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA62N15P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTA62N15P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA64N10L2	IXYS	获取价格	N-Channel Power MOSFET
IXTA64N10L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTA64N10L2_V01	IXYS	获取价格	N-Channel Power MOSFET
IXTA6N100D2	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information Depletion Mode MOSFET
IXTA6N100D2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA6N100D2HV	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTA6N100D2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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