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IXTA6N50D2

更新时间： 2024-11-19 14:56:15

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅栅极
页数	文件大小	规格书
6页	199K
描述
不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电压为零。凭借高达1700V的阻断电压和较低的漏极到源极电阻，这些器件在持续“开启”的系统（例如紧急警报或

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IXTA6N50D2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
Base Number Matches：	1

IXTA6N50D2 数据手册

Depletion Mode

MOSFET

V_DSX= 500V

I_D(on)> 6A

IXTA6N50D2

IXTP6N50D2

IXTH6N50D2

R_DS(on) 550m

N-Channel

TO-263 AA (IXTA)

D (Tab)

TO-220AB (IXTP)

Symbol

V_DSX

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

500

V_GSX

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

D (Tab)

P_D

T_C= 25C

300

TO-247 (IXTH)

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

C

M_d

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

D (Tab)

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

Features

• Normally ON Mode

• International Standard Packages

• Molding Epoxies Meet UL94V-0

Flammability Classification

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSX

V_GS(off)

I_GSX

V_GS= - 5V, I_D= 250A

V_DS= 25V, I_D= 250A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSX, V_GS= - 5V

500

Advantages

- 2.5

- 4.5

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

100 nA

A

I_DSX(off)

T_J= 125C

50 A

550 m

Applications

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 0V, I_D= 3A, Note 1

• Audio Amplifiers

• Start-up Circuits

• Protection Circuits

• Ramp Generators

• Current Regulators

• Active Loads

V_GS= 0V, V_DS= 25V, Note 1

DS100177D(4/17)

12 3 4 5 6

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与IXTA6N50D2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA6N50P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTA6N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA70N075T2	IXYS	获取价格	DC to DC Synchronous Converter Design
IXTA70N075T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA70N075T2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA75N10P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode
IXTA75N10P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA76N075T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA76N075T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTA76N25T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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