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IXTA64N10L2

更新时间： 2024-11-06 14:56:51

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力特 - LITTELFUSE		开关
页数	文件大小	规格书
7页	371K
描述
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应

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IXTA64N10L2 数据手册

Preliminary Technical Information

LinearL2^TM

Power MOSFET

w/Extended FBSOA

V_DSS= 100V

I_D25= 64A

R_DS(on) 32m

IXTA64N10L2

IXTP64N10L2

IXTH64N10L2

N-Channel Enhancement Mode

Guaranteed FBSOA

TO-263

(IXTA)

Avalanche Rated

D (Tab)

TO-220

(IXTP)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

100

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

D (Tab)

TO-247

(IXTH)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

140

I_A

E_AS

T_C= 25C

D (Tab)

P_D

T_C= 25C

357

T_J

-55 to +150

+150

C

G = Gate

= Drain

T_JM

T_stg

S = Source

Tab = Drain

-55 to +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features

^Designed for Linear Operation

^International Standard Packages

^Avalanche Rated

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

^Guaranteed FBSOA at 75C

Advantages



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

100

2.5

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 250A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

^Solid State Circuit Breakers

^Soft Start Controls

4.5

^Linear Amplifiers

100 nA

A

^Programmable Loads

^Current Regulators

I_DSS

T_J= 125C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

25 A

32 m

R_DS(on)

DS100557A(11/18)

12 3 4 5 6 7

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与IXTA64N10L2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA64N10L2_V01	IXYS	获取价格	N-Channel Power MOSFET
IXTA6N100D2	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information Depletion Mode MOSFET
IXTA6N100D2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA6N100D2HV	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTA6N100D2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA6N50D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTA6N50D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTA6N50P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTA6N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA70N075T2	IXYS	获取价格	DC to DC Synchronous Converter Design

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