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IXTA6N100D2HV

更新时间： 2024-11-19 14:56:23

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅栅极
页数	文件大小	规格书
7页	244K
描述
不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电压为零。凭借高达1700V的阻断电压和较低的漏极到源极电阻，这些器件在持续“开启”的系统（例如紧急警报或

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IXTA6N100D2HV 数据手册

High Voltage

Depletion Mode

Power MOSFET

V_DSX= 1000V

I_D(on)> 6A

IXTA6N100D2HV

R_DS(on) 2.2

N-Channel

TO-263HV

(IXTA..HV)

D (Tab)

Symbol

V_DSX

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

1000

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

V_GSX

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

P_D

T_C= 25C

300

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

• High Voltage package

• High Blocking Voltage

• Normally ON Mode

M_d

Mounting Force

10..65 / 2.2..14.6

2.5

N/lb.

Weight

• High Voltage package

Advantages

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

- 2.5

Typ.

Max.

BV_DSX

V_GS(off)

I_GSX

V_GS= - 5V, I_D= 250A

V_DS= 25V, I_D= 250A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSX, V_GS= - 5V

• Audio Amplifiers

• Start-Up Circuits

• Protection Circuits

• Ramp Generators

• Current Regulators

• Active Loads

- 4.5

100 nA

A

50 A

I_DSX(off)

T_J= 125C

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 0V, I_D= 3A, Note 1

2.2



V_GS= 0V, V_DS= 50V, Note 1

DS100805B(11/19)

12 3 4 5 6 7

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