IXTA76N25T

更新时间： 2024-11-18 12:02:23

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲栅局域网
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6页	213K
描述
Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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IXTA76N25T 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	76 A	最大漏极电流 (ID)：	76 A
最大漏源导通电阻：	0.039 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	460 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	170 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTA76N25T 数据手册

Preliminary Technical Information

IXTA76N25T IXTH76N25T

IXTI76N25T IXTP76N25T

IXTQ76N25T

V_DSS= 250V

I_D25= 76A

R_DS(on)≤ 39mΩ

Trench Gate

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Typical avalanche BV = 300V

TO-263 (IXTA)

TO-247 (IXTH)

TO-262 (IXTI)

TO-220 (IXTP)

(TAB)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

250

TO-3P (IXTQ)

V_GSM

Transient

± 30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C*

170

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_AS

E_AS

T_C= 25°C

1.5

(TAB)

P_D

T_C= 25°C

460

G = Gate

D = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

S = Source

TAB = Drain

Features

T_L

1.6mm (0.062in.) from case for 10s

Plastic body for 10seconds

300

260

°C

^zInternational standard packages

^zAvalanche rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

M_d

F_C

Mounting Torque TO-220,TO-3P,TO247

Mounting Force TO-262,TO-263

1.13 / 10

10..65 / 2.2..14.6

Nm/lb.in.

N/lb.

Weight

TO-262,TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

6.0

Advantages

TO-247

Easy to mount

Space savings

High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ . Max.

Applications

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

^zDC-DC converters

^zBattery chargers

BV_DSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_GS= 0V, I_D= 10A

250

300

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

^zDC choppers

^zAC motor control

^zUninterruptible power supplies

^zHigh speed power switching

applications

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

± 100 nA

μA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

T_J= 125°C

200 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

39 mΩ

DS99663C(10/07)

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IXTA76N25T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTH76N25T	IXYS	功能相似	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTQ76N25T	IXYS	功能相似	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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IXTA80N075L2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA80N075L2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA80N075L2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA80N10T	IXYS	获取价格	TrenchMVTM Power MOSFET
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