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IXTA80N075L2-TRL

更新时间： 2024-11-18 19:21:03

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IXYS		/
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6页	168K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTA80N075L2-TRL 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
Base Number Matches：	1

IXTA80N075L2-TRL 数据手册

Advance Technical Information

LinearL2^TMPower

MOSFETs w/Extended

FBSOA

V_DSS= 75V

I_D25= 80A

R_DS(on) 24m

IXTA80N075L2

IXTP80N075L2

IXTH80N075L2

N-Channel Enhancement Mode

Guaranteed FBSOA

TO-263AA (IXTA)

Avalanche Rated

D (Tab)

TO-220AB (IXTP)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

TO-247 (IXTH)

180

I_A

E_AS

T_C= 25C

2.5

P_D

T_C= 25C

357

T_J

-55 to +150

+150

C

D (Tab)

T_JM

T_stg

G = Gate

S = Source

= Drain

-55 to +150

Tab = Drain

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in

^Designed for Linear Operation

^International Standard Packages

^Avalanche Rated

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

^Guaranteed FBSOA at 75C

Advantages



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 250A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

^Solid State Circuit Breakers

^Soft Start Controls

2.5

4.5

^Linear Amplifiers

100 nA

A

^Programmable Loads

^Current Regulators

I_DSS

T_J= 125C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

25 A

24 m

R_DS(on)

DS100556(8/13)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA80N10T	IXYS	获取价格	TrenchMVTM Power MOSFET
IXTA80N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTA80N10T7	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA80N12T2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA80N12T2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 120V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA86N20T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA86N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTA86N20T-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA86N20X4	LITTELFUSE	获取价格	说明: 功能与特色: 应用:
IXTA88N085T7	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低

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