生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.39 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 2 |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTA86N20T | IXYS |
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Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTA86N20T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXTA86N20T-TRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA86N20X4 | LITTELFUSE |
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说明: 功能与特色: 应用: | |
IXTA88N085T7 | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXTA8N50P | IXYS |
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PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTA8N50P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTA8N65X2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA8N65X2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA8N70X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的 |