IXTP76N25T

更新时间： 2024-11-05 12:02:23

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲栅局域网
页数	文件大小	规格书
6页	213K
描述
Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTP76N25T 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	76 A	最大漏极电流 (ID)：	76 A
最大漏源导通电阻：	0.039 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	460 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	170 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTP76N25T 数据手册

Preliminary Technical Information

IXTA76N25T IXTH76N25T

IXTI76N25T IXTP76N25T

IXTQ76N25T

V_DSS= 250V

I_D25= 76A

R_DS(on)≤ 39mΩ

Trench Gate

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Typical avalanche BV = 300V

TO-263 (IXTA)

TO-247 (IXTH)

TO-262 (IXTI)

TO-220 (IXTP)

(TAB)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

250

TO-3P (IXTQ)

V_GSM

Transient

± 30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C*

170

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_AS

E_AS

T_C= 25°C

1.5

(TAB)

P_D

T_C= 25°C

460

G = Gate

D = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

S = Source

TAB = Drain

Features

T_L

1.6mm (0.062in.) from case for 10s

Plastic body for 10seconds

300

260

°C

^zInternational standard packages

^zAvalanche rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

M_d

F_C

Mounting Torque TO-220,TO-3P,TO247

Mounting Force TO-262,TO-263

1.13 / 10

10..65 / 2.2..14.6

Nm/lb.in.

N/lb.

Weight

TO-262,TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

6.0

Advantages

TO-247

Easy to mount

Space savings

High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ . Max.

Applications

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

^zDC-DC converters

^zBattery chargers

BV_DSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_GS= 0V, I_D= 10A

250

300

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

^zDC choppers

^zAC motor control

^zUninterruptible power supplies

^zHigh speed power switching

applications

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

± 100 nA

μA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

T_J= 125°C

200 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

39 mΩ

DS99663C(10/07)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

IXTP76N25T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTH76N25T	IXYS	功能相似	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTQ76N25T	IXYS	功能相似	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTA76N25T	IXYS	功能相似	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

与IXTP76N25T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP76P10T	IXYS	获取价格	TrenchP Power MOSFETs
IXTP76P10T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTP7N45	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-220AB
IXTP7N45A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP7N50	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-220AB
IXTP7N50A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP7N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTP7N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP7N60PM	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTP7P15	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-220

与IXTP76N25T相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTP76N25T

IXTP76N25T 技术参数

IXTP76N25T 数据手册

IXTP76N25T 替代型号

与IXTP76N25T相关器件

与IXTP76N25T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTP76N25T

IXTP76N25T 技术参数

IXTP76N25T 数据手册

IXTP76N25T 替代型号

与IXTP76N25T相关器件

与IXTP76N25T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？