Datasheet > IXTP7N60P

IXTP7N60P

更新时间： 2024-11-06 14:56:59

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
5页	773K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件纳入了Polar技术平台，以实现低导通电阻（RDS(ON)）。 Polar标准M

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTP7N60P 数据手册

PolarHV^TM

Power MOSFET

V_DSS= 600

IXTA 7N60P

IXTP 7N60P

I_D257 A

R_DS(on)≤ 1.1

Ω

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220 (IXTP)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 175° C

T_J= 25° C to 175° C; R_GS= 1 MΩ

600

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

TO-263 (IXTA)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C=25° C

400

(TAB)

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 18 Ω

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_C=25° C

150

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

M_d

Mounting torque

(TO-220)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-220

TO-263

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Easy to mount

Space savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 100µA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

600

High power density

3.0

5.5

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

µA

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

1.1

Ω

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99320E(03/06)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与IXTP7N60P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP7N60PM	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTP7P15	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-220
IXTP7P20	IXYS	获取价格	Transistor,
IXTP80N075L2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP80N075L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTP80N10T	IXYS	获取价格	TrenchMVTM Power MOSFET
IXTP80N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTP80N12T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTP86N20T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP86N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低