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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTP7N50A | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTP7N60P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IXTP7N60P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTP7N60PM | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IXTP7P15 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220 |
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| IXTP7P20 | IXYS |
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Transistor, |
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| IXTP80N075L2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTP80N075L2 | LITTELFUSE |
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这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正 |
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| IXTP80N10T | IXYS |
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TrenchMVTM Power MOSFET |
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| IXTP80N10T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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