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IXTP8N65X2

更新时间： 2024-11-18 19:53:51

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描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTP8N65X2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.49	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IXTP8N65X2 数据手册

Preliminary Technical Information

X2-Class

Power MOSFET

V_DSS= 650V

I_D25= 8A

R_DS(on) 500m

IXTY8N65X2

IXTA8N65X2

IXTP8N65X2

N-Channel Enhancement Mode

TO-252 (IXTY)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25C to 150C

650

TO-263 (IXTA)

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

D (Tab)

TO-220 (IXTP)

I_A

T_C= 25C

E_AS

250

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

150

D (Tab)

T_J

-55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated



Weight

TO-252

TO-263

TO-220

0.35

2.50

3.00

Low Package Inductance

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

650



3.0

5.0

Applications

100 nA



I_DSS

10 A

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

T_J= 125C

150 A



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

500 m



Robotics and Servo Controls

DS100649B(5/17)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP8N65X2M	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP8N65X2M	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP8N70X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXTP8N70X2M	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP8N70X2M	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXTP8P25	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-220
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