IXTQ102N15T

更新时间： 2024-11-18 12:27:43

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲栅局域网
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7页	239K
描述
Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTQ102N15T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	102 A
最大漏极电流 (ID)：	102 A	最大漏源导通电阻：	0.018 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	455 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTQ102N15T 数据手册

IXTA102N15T

IXTH102N15T

IXTP102N15T

IXTQ102N15T

Trench Gate

Power MOSFET

V_DSS= 150V

I_D25= 102A

R_DS(on)≤ 18mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXTA)

TO-247 (IXTH)

TO-220 (IXTP)

TO-3P (IXTQ)

(TAB)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C R_GS= 1MΩ

150

G = Gate

S = Source

= Drain

TAB = Drain

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

102

300

I_A

E_AS

T_C= 25°C

750

Features

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

T_C= 25°C

V/ns

^zInternational standard packages

^zAvalanche rated

455

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-220, TO-3P, TO-247) 1.13 / 10

Nmlb.in.

N/lb.

Mounting Force

(TO-263)

10..65/2.2..14.6

Applications

Weight

TO-263

2.5

3.0

5.5

6.0

^zDC-DC converters

^zBattery chargers

TO-220

TO-3P

TO-247

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

^zDC choppers

^zAC motor drives

^zUninterruptible power supplies

^zHigh speed power switching

applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min.

150

3.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

5.0

± 200 nA

μA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

T_J= 150°C

250 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

18 mΩ

DS99661B(10/08)

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