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IXTQ110N10P PDF预览

IXTQ110N10P

更新时间： 2024-11-19 14:56:19
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
6页 238K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。 这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS

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IXTQ 110N10P  
IXTT 110N10P  
VDSS = 100  
ID25 = 110  
RDS(on) ≤ 15 mΩ  
V
A
PolarHTTM  
Power MOSFET  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-3P (IXTQ)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25° C to 175° C  
TJ = 25° C to 175° C; RGS = 1 MΩ  
100  
100  
V
V
VGS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
G
D
ID25  
ID(RMS)  
IDM  
TC =25° C  
External lead current limit  
TC = 25° C, pulse width limited by TJM  
110  
75  
250  
A
A
A
(TAB)  
S
IAR  
TC =25° C  
60  
A
TO-268 (IXTT)  
EAR  
EAS  
TC =25° C  
TC =25° C  
40  
mJ  
J
1.0  
dv/dt  
PD  
IS ≤IDM, di/dt ≤100 A/µs, VDD ≤VDSS  
TJ ≤150° C, RG = 4 Ω  
,
10  
V/ns  
G
S
D (TAB)  
TC =25° C  
480  
W
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
Features  
l
International standard packages  
Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 s  
300  
260  
°C  
l
°C  
Md  
Mounting torque  
(TO-3P)  
1.13/10 Nm/lb.in.  
l
Weight  
TO-3P  
TO-268  
5.5  
5.0  
g
g
Advantages  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
l
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
(TJ = 25° C, unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
l
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 250µA  
VGS = 20 VDC, VDS = 0  
100  
V
V
l
2.5  
5.0  
100  
nA  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
25  
250  
µA  
µA  
TJ = 150° C  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25  
15 mΩ  
Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %  
DS99132E(12/05)  
© 2006 IXYS All rights reserved  
123456

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与IXTQ110N10P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTQ120N15P LITTELFUSE

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 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
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 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
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