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力特 - LITTELFUSE | ![]() |
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页数 | 文件大小 | 规格书 |
8页 | 450K | ![]() |
描述 | ||
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能(Tc=@25oC)。 通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择,这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。 |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.75 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTP90N075T2 | IXYS |
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DC to DC Synchronous Converter Design |
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IXTP90N075T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 |
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IXTP90N15T | IXYS |
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Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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IXTP90N15T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(ON)极低,因此确保了非常低 |
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IXTP90N20X3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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IXTP94N20X4 | LITTELFUSE |
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说明: 功能与特色: 应用: |
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IXTP96P085T | IXYS |
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TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode |
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IXTP96P085T | LITTELFUSE |
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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用,这些应用可采用简单的接地参考驱 |
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IXTP98N075T | IXYS |
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Advance Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET |
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IXTP98N075T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(ON)极低,因此确保了非常低 |
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