5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXTP90N055T2
IXTP90N055T2 PDF预览

IXTP90N055T2

更新时间： 2024-01-08 19:01:41
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
8页 450K
描述
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能（Tc=@25oC）。 通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择，这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXTP90N055T2 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.75
Base Number Matches：1

IXTP90N055T2 数据手册

 浏览型号IXTP90N055T2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTP90N055T2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTP90N055T2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXTP90N055T2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXTP90N055T2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXTP90N055T2的Datasheet PDF文件第7页 
TrenchT2TM  
Power MOSFET  
VDSS = 55V  
ID25 = 90A  
RDS(on) 8.4m  
IXTI90N055T2  
IXTY90N055T2  
IXTA90N055T2  
IXTP90N055T2  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-252 (IXTY)  
G
S
TO-262 (IXTI)  
D (Tab)  
G
TO-263 (IXTA)  
D
S
D (Tab)  
G
S
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
D (Tab)  
TJ = 25C to 175C  
TJ = 25C to 175C, RGS = 1M  
55  
55  
V
V
TO-220 (IXTP)  
VDGR  
VGSM  
Transient  
20  
V
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
90  
230  
A
A
G
D
S
D (Tab)  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
50  
A
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
Tab = Drain  
EAS  
300  
mJ  
PD  
TC = 25C  
150  
W
TJ  
-55 ... +175  
175  
C  
C  
C  
Features  
TJM  
Tstg  
International Standard Packages  
Avalanche Rated  
Low Package Inductance  
Fast Intrinsic Rectifier  
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
175°C Operating Temperature  
High Current Handling Capability  
ROHS Compliant  
FC  
Md  
Mounting Force (TO-263)  
Mounting Torque (TO-220)  
10..65 / 2.2..14.6  
1.13 / 10  
N/lb  
Nm/lb.in  
High Performance Trench  
Weight  
TO-252  
TO-262 (Lead)  
TO-263  
0.35  
0.40  
2.50  
3.00  
g
g
g
g
Technology for extremely low RDS(on)  
TO-220  
Advantages  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C Unless Otherwise Specified)  
Min. Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250A  
VDS = VGS, ID = 250A  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
55  
V
V
Applications  
2.0  
4.0  
Automotive Engine Control  
Synchronous Buck Converter  
           200 nA  
A  
(for Notebook SystemPower &  
IDSS  
2
General Purpose Point & Load)  
DC/DC Converters  
High Current Switching Applications  
TJ = 150C  
VGS = 10V, ID = 25A, Notes 1 & 2  
200 A  
8.4 m  
RDS(on)  
7.0  
Power Train Management  
Distributed Power Architecture  
  
DS99956D(11/18)  
© 2018 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
12345678

中文翻译

下载PDF

与IXTP90N055T2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTP90N075T2 IXYS

获取价格

 		DC to DC Synchronous Converter Design
IXTP90N075T2 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTP90N15T IXYS

获取价格

 		Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTP90N15T LITTELFUSE

获取价格

 		沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTP90N20X3 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTP94N20X4 LITTELFUSE

获取价格

 		说明: 功能与特色: 应用:
IXTP96P085T IXYS

获取价格

 		TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode
IXTP96P085T LITTELFUSE

获取价格

 		Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTP98N075T IXYS

获取价格

 		Advance Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET
IXTP98N075T LITTELFUSE

获取价格

 		沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低

与IXTP90N055T2相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证