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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.73 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 400 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 90 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0088 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTP90N055T2 | IXYS |
类似代替  |
DC to DC Synchronous Converter Design |
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| IXTA90N055T | IXYS |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 55V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTA90N055T2 | IXYS |
功能相似 |
DC to DC Synchronous Converter Design |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTP90N055T2 | IXYS |
获取价格 |
DC to DC Synchronous Converter Design |
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| IXTP90N055T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXTP90N075T2 | IXYS |
获取价格 |
DC to DC Synchronous Converter Design |
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| IXTP90N075T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXTP90N15T | IXYS |
获取价格 |
Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTP90N15T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTP90N20X3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTP94N20X4 | LITTELFUSE |
获取价格 |
说明: 功能与特色: 应用: |
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| IXTP96P085T | IXYS |
获取价格 |
TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode |
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| IXTP96P085T | LITTELFUSE |
获取价格 |
Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
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