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IXTP8N70X2M

更新时间： 2024-11-18 20:04:27

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5页	142K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTP8N70X2M 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	8.36
Base Number Matches：	1

IXTP8N70X2M 数据手册

Advance Technical Information

X2-Class

Power MOSFET

V_DSS= 700V

I_D25= 8A

IXTP8N70X2M

R_DS(on) 550m

(Electrically Isolated Tab)

N-Channel Enhancement Mode

OVERMOLDED

TO-220

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

700

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

G = Gate

S = Source

D = Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25C, Limited by T_JM

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25C

E_AS

250

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

Features



International Standard Package

Plastic Overmolded Tab

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated

Low Package Inductance

T_J

-55 ... +150

150

C



T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Advantages

M_d

Mounting Torque

1.13 / 10

2.5

Nm/lb.in



Weight

High Power Density

Easy to Mount



Space Savings

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

700



3.0

5.0



100 nA

I_DSS

10 A

T_J= 125C

250 A

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 4A, Note 1

550 m

DS100755A(1/17)

12 3 4 5

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