生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.71 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTP8N70X2M | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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IXTP8N70X2M | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的 |
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IXTP8P25 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220 |
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IXTP90N055T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 55V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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IXTP90N055T2 | IXYS |
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DC to DC Synchronous Converter Design |
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IXTP90N055T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 |
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IXTP90N075T2 | IXYS |
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DC to DC Synchronous Converter Design |
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IXTP90N075T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 |
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IXTP90N15T | IXYS |
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Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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IXTP90N15T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(ON)极低,因此确保了非常低 |
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