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IXTP7N60P

更新时间： 2024-11-18 21:17:19

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	178K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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IXTP7N60P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	7 A
最大漏源导通电阻：	1.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTP7N60P 数据手册

PolarHV^TM

Power MOSFET

V_DSS= 600

IXTA 7N60P

IXTP 7N60P

I_D257 A

R_DS(on)≤ 1.1

Ω

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220 (IXTP)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 175° C

T_J= 25° C to 175° C; R_GS= 1 MΩ

600

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

TO-263 (IXTA)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C=25° C

400

(TAB)

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 18 Ω

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_C=25° C

150

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

M_d

Mounting torque

(TO-220)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-220

TO-263

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Easy to mount

Space savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 100µA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

600

High power density

3.0

5.5

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

µA

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

1.1

Ω

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99320E(03/06)

12 3 4

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IXTP7N60P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFP7N60P3	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXTA7N60P	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXFA7N60P3	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

与IXTP7N60P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP7N60PM	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTP7P15	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-220
IXTP7P20	IXYS	获取价格	Transistor,
IXTP80N075L2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP80N075L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTP80N10T	IXYS	获取价格	TrenchMVTM Power MOSFET
IXTP80N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTP80N12T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTP86N20T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP86N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低

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