是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.82 | Is Samacsys: | N |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码: | e0 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 125 W |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTP8N50MA | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
IXTP8N50MB | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
IXTP8N50P | IXYS |
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PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTP8N50P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTP8N65X2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTP8N65X2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTP8N65X2M | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTP8N65X2M | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTP8N70X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的 | |
IXTP8N70X2M | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |