5秒后页面跳转
IXTP8N45MB PDF预览

IXTP8N45MB

更新时间: 2024-11-05 20:14:03
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
8页 681K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

IXTP8N45MB 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82Is Samacsys:N
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):8 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码:e0
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):125 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

IXTP8N45MB 数据手册

 浏览型号IXTP8N45MB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTP8N45MB的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTP8N45MB的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXTP8N45MB的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXTP8N45MB的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXTP8N45MB的Datasheet PDF文件第7页 

与IXTP8N45MB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTP8N50MA IXYS

获取价格

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP8N50MB IXYS

获取价格

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP8N50P IXYS

获取价格

PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP8N50P LITTELFUSE

获取价格

Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP8N65X2 IXYS

获取价格

Power Field-Effect Transistor,
IXTP8N65X2 LITTELFUSE

获取价格

Power Field-Effect Transistor,
IXTP8N65X2M IXYS

获取价格

Power Field-Effect Transistor,
IXTP8N65X2M LITTELFUSE

获取价格

Power Field-Effect Transistor,
IXTP8N70X2 LITTELFUSE

获取价格

这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的
IXTP8N70X2M IXYS

获取价格

Power Field-Effect Transistor,