是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.78 | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码: | e0 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 125 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTP8N50MB | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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IXTP8N50P | IXYS |
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PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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IXTP8N50P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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IXTP8N65X2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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IXTP8N65X2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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IXTP8N65X2M | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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IXTP8N65X2M | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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IXTP8N70X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的 |
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IXTP8N70X2M | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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IXTP8N70X2M | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的 |
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