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IXTP7N60PM

更新时间： 2024-11-18 19:23:55

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	111K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC, ISOLATED TO-220, 3 PIN

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IXTP7N60PM 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A
最大漏极电流 (ID)：	4 A	最大漏源导通电阻：	1.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	41 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTP7N60PM 数据手册

Preliminary Technical Information

Polar^TMPower MOSFET

V_DSS= 600V

I_D25= 4A

R_DS(on)≤ 1.1Ω

IXTA7N60PM

IXTP7N60PM

(Electrically Isolated Tab)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

OVERMOLDED TO-220

(IXTP...M) OUTLINE

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1 MΩ

600

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

Isolated Tab

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_A

E_AS

T_C= 25°C

400

G = Gate

S = Source

D = Drain

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J=150°C

T_C= 25°C

V/ns

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

°C

Features

^ꢀPlastic overmolded tab for electrical

isolation

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

^ꢀInternational standard package

^ꢀAvanlanche rated

M_d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

^ꢀLow package inductance

- easy to drive and to protect

Weight

2.5

Advantages

ꢀ

Easy to mount

Space savings

ꢀ

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 100μA

600

^ꢀDC-DC converters

^ꢀBattery chargers

3.0

5.5

^ꢀSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

±100 nA

^ꢀDC choppers

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

5 μA

50 μA

^ꢀAC motor drives

T_J= 125°C

^ꢀUninterruptible power supplies

^ꢀHigh speed power switching

applications

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 3.5A, Note 1

1.1

DS99950(06/08)

12 3 4

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与IXTP7N60PM相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP7P15	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-220
IXTP7P20	IXYS	获取价格	Transistor,
IXTP80N075L2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP80N075L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTP80N10T	IXYS	获取价格	TrenchMVTM Power MOSFET
IXTP80N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTP80N12T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTP86N20T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP86N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTP88N085T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 85V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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