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IXTP76P10T

更新时间： 2024-11-19 14:56:43

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关驱动高压
页数	文件大小	规格书
8页	358K
描述
Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱动电路，避免使用N通道MOSFET通常涉及的额外“高压侧”驱动电路。这让设计人员可以减少元件数量，从而简

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IXTP76P10T 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.29
其他特性：	AVALANCE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	76 A
最大漏极电流 (ID)：	76 A	最大漏源导通电阻：	0.025 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	298 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	230 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTP76P10T 数据手册

TrenchP^TM

Power MOSFET

V_DSS= - 100V

I_D25= - 76A

IXTT76P10THV

IXTA76P10T

IXTP76P10T

IXTH76P10T

R_DS(on)



25m

TO-268HV

(IXTT)

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

D (Tab)

TO-263 AA

(IXTA)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220AB

(IXTP)

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

- 100

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

15

25

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

- 76

TO-247

(IXTH)

- 230

I_A

E_AS

T_C= 25C

- 38

P_D

T_C= 25C

298

D (Tab)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

^International Standard Packages

^Avalanche Rated

M_d

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

1.13 /10

Nm/lb.in.

Weight

TO-263

TO-220

TO-268HV

TO-247

2.5

3.0

4.0

6.0

^Extended FBSOA

^Fast Intrinsic Diode



Low R_DS(ON)and Q_G

Advantages



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

Easy to Mount

Space Savings



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250A

V_DS= V_GS, I_D= - 250A

V_GS= 15V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

-100

Applications

- 2.0

- 4.0



High-Side Switching

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment

100 nA



I_DSS

- 15 A

- 750 A



T_J= 125C



Current Regulators

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

25 m



Battery Charger Applications

DS100024C(9/15)

12 3 4 5 6 7 8

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与IXTP76P10T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP7N45	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-220AB
IXTP7N45A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP7N50	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-220AB
IXTP7N50A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP7N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTP7N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP7N60PM	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTP7P15	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-220
IXTP7P20	IXYS	获取价格	Transistor,
IXTP80N075L2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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