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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IXTA70N075T2
IXTA70N075T2 PDF预览

IXTA70N075T2

更新时间： 2024-11-18 07:16:51
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IXYS 晶体转换器晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
11页 200K
描述
DC to DC Synchronous Converter Design

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IXTA70N075T2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.69Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：300 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：75 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：70 A
最大漏极电流 (ID)：70 A最大漏源导通电阻：0.012 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXTA70N075T2 数据手册

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DC to DC Synchronous Converter Design  
Abdus Sattar, IXYS Corporation  
IXAN0068  
Modern power electronics products require small size and lighter weight of power  
electronics parts. Filter inductor and capacitor sizes must be small. With the small filter,  
the switching semiconductor devices must have small switching loss. And heat sink also  
must be reduced. For the safe operation with the small heat sink, the switching  
semiconductor devices must have small conduction loss. IXYS developed new generation  
of Trench MOSFET (Trench2TM), which has small gate charge and low on-resistance.  
The MOSFET will be well suited for high power applications of synchronous DC to DC  
converters used in various systems. The MOSFET is rugged and has avalanche energy  
capability.  
Table 1: Few Examples of IXYS TrenchT2TM N-Channel Power MOSFETs  
Vdss  
(max) Tc=25C  
(V) (A)  
Id  
@
Rds(on)  
@
Ciss  
(pF)  
Qg  
(nC  
)
trr @  
Tj=  
R(th)JC  
(°C/W)  
Pd  
Package  
Type  
Part Number  
EAS  
(mJ)  
(W)  
Tj=25°C  
(Ω)  
25°C  
(ns)  
600  
600  
300  
300  
400  
400  
600  
600  
300  
300  
400  
400  
IXTA220N04T2  
IXTP220N04T2  
IXTA90N055T2  
IXTP90N055T2  
IXTA110N055T2  
IXTP110N055T2  
IXTA200N055T2  
IXTP200N055T2  
IXTA70N075T2  
IXTP70N075T2  
IXTA90N075T2  
IXTP90N075T2  
360  
360  
150  
150  
180  
180  
360  
360  
150  
150  
180  
180  
TO‐263  
TO‐220  
TO‐263  
TO‐220  
TO‐263  
TO‐220  
TO‐263  
TO‐220  
TO‐263  
TO‐220  
TO‐263  
TO‐220  
40  
220  
0.0035  
0.0035  
0.0084  
0.0084  
0.0066  
0.0066  
0.0042  
0.0042  
0.012  
6500 112  
6500 112  
45  
45  
37  
37  
38  
38  
49  
49  
48  
48  
50  
50  
0.42  
0.42  
1.0  
40  
55  
55  
55  
55  
55  
55  
75  
75  
75  
75  
220  
90  
2670  
2670  
3060  
3060  
42  
42  
57  
57  
90  
1.0  
110  
110  
200  
200  
70  
0.82  
0.82  
0.42  
0.42  
1.0  
6800 109  
6800 109  
2580  
2580  
3100  
3100  
46  
46  
54  
54  
70  
0.012  
1.0  
90  
0.010  
0.82  
0.82  
90  
0.010  
DC-to-DC Synchronous Converter Design:  
Figure 1: Synchronous Buck Converter using IXYS TrenchT2TM Power MOSFET  
1
1234567...11

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IXTA70N075T2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTA76N075T IXYS

类似代替

 Preliminary Technical Information N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP70N075T2 IXYS

类似代替

 DC to DC Synchronous Converter Design
IXTP76N075T IXYS

功能相似

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IXTA70N075T2-TRL IXYS

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IXTA75N10P LITTELFUSE

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IXTA76N075T IXYS

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 		Preliminary Technical Information N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA76N075T LITTELFUSE

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 		沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
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