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IXTA6N100D2

更新时间: 2024-09-24 12:27:43
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5页 190K
描述
Preliminary Technical Information Depletion Mode MOSFET

IXTA6N100D2 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:D2PAK
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:8.47
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏源导通电阻:2.2 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263AAJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):300 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IXTA6N100D2 数据手册

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Preliminary Technical Information  
Depletion Mode  
MOSFET  
VDSX = 1000V  
ID(on) > 6A  
IXTA6N100D2  
IXTP6N100D2  
IXTH6N100D2  
RDS(on) 2.2Ω  
N-Channel  
TO-263 AA (IXTA)  
G
S
D (Tab)  
Symbol  
VDSX  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-220AB (IXTP)  
TJ = 25°C to 150°C  
1000  
V
VGSX  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
PD  
TC = 25°C  
300  
W
G
D
D (Tab)  
TJ  
TJM  
Tstg  
- 55 ... +150  
150  
- 55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
S
TO-247 (IXTH)  
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Md  
Mounting Torque (TO-220 & TO-247)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
Weight  
TO-263  
TO-220  
TO-247  
2.5  
3.0  
6.0  
g
g
g
G
D
S
D (Tab)  
G = Gate  
D
= Drain  
S = Source  
Tab = Drain  
Features  
• Normally ON Mode  
• International Standard Packages  
• Molding Epoxies Meet UL94V-0  
Flammability Classification  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
1000  
- 2.5  
Typ.  
Max.  
BVDSX  
VGS(off)  
IGSX  
VGS = - 5V, ID = 250μA  
VDS = 25V, ID = 250μA  
VGS = ±20V, VDS = 0V  
VDS = VDSX, VGS= - 5V  
V
V
Advantages  
- 4.5  
• Easy to Mount  
• Space Savings  
• High Power Density  
±100 nA  
μA  
50 μA  
IDSX(off)  
5
TJ = 125°C  
Applications  
RDS(on)  
ID(on)  
VGS = 0V, ID = 3A, Note 1  
2.2  
Ω
• Audio Amplifiers  
• Start-Up Circuits  
• Protection Circuits  
Ramp Generators  
• Current Regulators  
• Active Loads  
VGS = 0V, VDS = 50V, Note 1  
6
A
DS100183A(12/09)  
© 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  

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