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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 8.47 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大漏源导通电阻： | 2.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTA6N100D2HV | LITTELFUSE |
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不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电 |
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| IXTA6N100D2-TRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTA6N50D2 | IXYS |
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Depletion Mode MOSFET |
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| IXTA6N50D2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电 |
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| IXTA6N50P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IXTA6N50P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTA70N075T2 | IXYS |
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DC to DC Synchronous Converter Design |
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| IXTA70N075T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXTA70N075T2-TRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTA75N10P | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode |
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