Datasheet > IXTA6N50D2

IXTA6N50D2

更新时间： 2024-09-24 05:39:55

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	186K
描述
Depletion Mode MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTA6N50D2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	8.51
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大漏源导通电阻：	0.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTA6N50D2 数据手册

Preliminary Technical Information

Depletion Mode

MOSFET

V_DSX= 500V

I_D(on)> 6A

IXTA6N50D2

IXTP6N50D2

IXTH6N50D2

R_DS(on)≤ 500mΩ

N-Channel

TO-263 AA (IXTA)

D (Tab)

Symbol

V_DSX

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220AB (IXTP)

T_J= 25°C to 150°C

500

V_GSX

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

P_D

T_C= 25°C

300

D (Tab)

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

°C

TO-247 (IXTH)

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

D (Tab)

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

Features

• Normally ON Mode

• International Standard Packages

• Molding Epoxies Meet UL94V-0

Flammability Classification

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSX

V_GS(off)

I_GSX

V_GS= - 5V, I_D= 250μA

V_DS= 25V, I_D= 250μA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSX, V_GS= - 5V

500

Advantages

- 2.0

- 4.0

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

±100 nA

μA

I_DSX(off)

T_J= 125°C

50 μA

500 mΩ

Applications

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 0V, I_D= 3A, Note 1

• Audio Amplifiers

• Start-up Circuits

• Protection Circuits

• Ramp Generators

• Current Regulators

• Active Loads

V_GS= 0V, V_DS= 25V, Note 1

DS100177A(12/09)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与IXTA6N50D2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA6N50P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 500V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTA6N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA70N075T2	IXYS	获取价格	DC to DC Synchronous Converter Design
IXTA70N075T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTA70N075T2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA75N10P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode
IXTA75N10P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA76N075T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA76N075T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTA76N25T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

与IXTA6N50D2相关文章

SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

6
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

11
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

79
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

71

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTA6N50D2

IXTA6N50D2 技术参数

IXTA6N50D2 数据手册

与IXTA6N50D2相关器件

与IXTA6N50D2相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTA6N50D2

IXTA6N50D2 技术参数

IXTA6N50D2 数据手册

与IXTA6N50D2相关器件

与IXTA6N50D2相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？