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IXFA4N100P

更新时间： 2024-02-15 14:34:26

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4页	151K
描述
Polar HiPerFET Power MOSFET

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IXFA4N100P 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.69
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	700 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (ID)：	4 A
最大漏源导通电阻：	3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFA4N100P 数据手册

IXFA4N100P

IXFP4N100P

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

TO-220 (IXFP) Outline

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

g_fs

V_DS= 20V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

1.8

3.0

1.6

R_Gi

Gate Input Resistance

C_iss

C_oss

C_rss

1456

V_GS= 0V, V_DS= 25V, f = 1MHz

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

Resistive Switching Times

_GS= 10V, V_DS= 0.5 • V_DSS, I_D= 0.5 • I_D25

R_G= 5Ω (External)

Pins: 1 - Gate

2 - Drain

Q_g(on)

Q_gs

V_GS= 10V, V_DS= 0.5 • V_DSS, I_D= 0.5 • I_D25

Q_gd

R_thJC

R_thCS

0.83 °C/W

°C/W

TO-220

0.50

Source-Drain Diode

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

I_S

V_GS= 0V

I_SM

V_SD

Repetitive, Pulse Width Limited by T_JM

I_F= I_S, V_GS= 0V, Note 1

TO-263 (IXFA) Outline

1.3

t_rr

300 ns

I_F= 2A, V_GS= 0V, -di/dt = 100A/μs

I_RM

Q_RM

5.30

0.34

V_R= 100V

μC

Note 1: Pulse test, t ≤ 300μs, duty cycle, d ≤ 2%.

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

IXYS MOSFETs and IGBTs are covered

by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072 5,017,508

4,881,106 5,034,796

4,835,592 4,931,844

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123B1

6,306,728B1

6,404,065B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,710,405B2 6,759,692

6,710,463 6,771,478B2 7,071,537

6,727,585

7,005,734B2 7,157,338B2

7,063,975B2

123 4

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IXFA4N100P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFP4N100P	IXYS	完全替代	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFA4N100Q	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT4N100Q	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

与IXFA4N100P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFA4N100Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFA4N100Q_11	IXYS	获取价格	HiperFET Power MOSFETs Q-Class
IXFA4N100QSN	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IXFA4N100Q-TRL	IXYS	获取价格	MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
IXFA4N60P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA4N60P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXFA4N85X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA4N85X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA50N20X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFA56N30X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘

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