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IXFA16N60P3

更新时间： 2024-11-18 21:03:31

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	214K
描述
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, TO-263AA, 3 PIN

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IXFA16N60P3 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	PLASTIC, TO-263AA, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	8.55
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	800 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A
最大漏极电流 (ID)：	16 A	最大漏源导通电阻：	0.44 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	347 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFA16N60P3 数据手册

Preliminary Technical Information

Polar3 ^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 600V

I_D25= 16A

R_DS(on) 470m

IXFA16N60P3

IXFP16N60P3

IXFH16N60P3

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXFA)

Fast Intrinsic Rectifier

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220 (IXFP)

T_J= 25C to 150C

600

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

TO-247 (IXFH)

I_A

T_C= 25C

E_AS

800

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

D (Tab)

347

T_J

-55 ... +150

150

C

G = Gate

S = Source

= Drain

T_JM

T_stg

Tab = Drain

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features



F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in

International Standard Packages

Fast Intrinsic Rectifier

Avalanche Rated

Low R_DS(ON)and Q_G

Low Package Inductance



Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Advantages



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1.5mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

600

3.0

5.0

Applications

100 nA



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

Laser Drivers

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

I_DSS

25 A

1.5 mA



T_J= 125C



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

470 m



DS100419B(03/14)

12 3 4

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IXFA16N60P3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFH16N60P3	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FML16N60ES	FUJI	功能相似	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

与IXFA16N60P3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFA180N10T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFA180N10T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFA180N10T2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA18N60X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA18N60X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA18N65X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA20N50P3	IXYS	获取价格	Power MOSFET
IXFA20N50P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFA20N50P3_V01	IXYS	获取价格	Power MOSFET
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