5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXFA180N10T2-TRL
IXFA180N10T2-TRL PDF预览

IXFA180N10T2-TRL

更新时间： 2024-11-18 21:18:31
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
6页 254K
描述
Power Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXFA180N10T2-TRL 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.7
Base Number Matches：1

IXFA180N10T2-TRL 数据手册

 浏览型号IXFA180N10T2-TRL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFA180N10T2-TRL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFA180N10T2-TRL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXFA180N10T2-TRL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXFA180N10T2-TRL的Datasheet PDF文件第6页 
TrenchT2TM HiperFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 100V  
ID25 = 180A  
RDS(on) 6m  
IXFA180N10T2  
IXFP180N10T2  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Fast Intrinsic Rectifier  
TO-263  
(IXFA)  
G
S
D (Tab)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-220  
(IXFP)  
TJ = 25C to 175C  
100  
100  
V
V
VDGR  
TJ = 25C to 175C, RGS = 1M  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
G
D
S
D (Tab)  
ID25  
IL(RMS)  
IDM  
TC = 25C (Chip Capability)  
External Lead Current Limit  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
180  
120  
450  
A
A
A
G = Gate  
D
= Drain  
S = Source Tab = Drain  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
90  
A
EAS  
750  
mJ  
dV/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS,TJ 175C  
TC = 25C  
15  
V/ns  
W
Features  
480  
International Standard Packages  
175°C Operating Temperature  
High Current Handling Capability  
Fast Intrinsic Rectifier  
Dynamic dV/dt Rated  
Low RDS(on)  
TJ  
-55 ... +175  
175  
C  
C  
C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Advantages  
FC  
Mounting Force (TO-263)  
Mounting Torque (TO-220)  
10..65 / 2.2..14.6  
1.13 / 10  
N/lb  
Nm/lb.in  
Md  
Easy to Mount  
Space Savings  
Weight  
TO-263  
TO-220  
2.5  
3.0  
g
g
High Power Density  
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Synchronous Rectification  
DC-DC Converters  
Battery Charges  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
DC Choppers  
(TJ = 25C Unless Otherwise Specified)  
Min. Typ.  
100  
2.0  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250A  
VDS = VGS, ID = 250A  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
V
4.0  
           200 nA  
AC Motor Drives  
Uninterruptible Power Supplies  
High Speed Power Switching  
Applications  
IDSS  
10 A  
TJ = 150C  
VGS = 10V, ID = 50A, Notes 1 & 2  
750 A  
RDS(on)  
6 m  
DS100266E(11/18)  
© 2018 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
123456

中文翻译

下载PDF

与IXFA180N10T2-TRL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFA18N60X LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXFA18N60X IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXFA18N65X2 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXFA20N50P3 IXYS

获取价格

 		Power MOSFET
IXFA20N50P3 LITTELFUSE

获取价格

 		PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFA20N50P3_V01 IXYS

获取价格

 		Power MOSFET
IXFA20N85XHV LITTELFUSE

获取价格

 		采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFA220N06T3 LITTELFUSE

获取价格

 		60V TrenchT3?功率MOSFET是对低压Trench MOSFET产品系列的扩展
IXFA22N60P3 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXFA22N65X2 LITTELFUSE

获取价格

 		这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的

与IXFA180N10T2-TRL相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证