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IXFA180N10T2

更新时间： 2024-11-18 11:13:59

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6页	207K
描述
TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

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IXFA180N10T2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	TO-263AA, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	4.57	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	180 A	最大漏极电流 (ID)：	180 A
最大漏源导通电阻：	0.006 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	480 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	450 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IXFA180N10T2 数据手册

Preliminary Technical Information

TrenchT2^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 100V

I_D25= 180A

R_DS(on)≤ 6mΩ

IXFA180N10T2

IXFP180N10T2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 AA (IXFA)

Fast Intrinsic Rectifier

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

100

TO-220AB (IXFP)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C (Chip Capability)

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

180

120

450

D (Tab)

= Drain

I_A

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

Tab = Drain

E_AS

750

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

T_C= 25°C

V/ns

480

Features

T_J

-55 ... +175

175

°C

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

T_JM

T_stg

-55 ... +175

^z175°C Operating Temperature

^zHigh Current Handling Capability

^zFast Intrinsic Rectifier

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 Seconds

300

260

°C

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Low R_DS(on)

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

100

2.0

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

4.0

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

±100 nA

I_DSS

10 μA

^zDC Choppers

^zAC Motor Drives

T_J= 150°C

V_GS= 10V, I_D= 50A, Notes 1, 2

750 μA

^zUninterruptible Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

R_DS(on)

6 mΩ

DS100266A(09/10)

12 3 4 5 6

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IXFA180N10T2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTH200N10T	IXYS	功能相似	TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ200N10T	IXYS	功能相似	TrenchMVTM Power MOSFET
IXFP180N10T2	IXYS	功能相似	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

与IXFA180N10T2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFA180N10T2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA18N60X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA18N60X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA18N65X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA20N50P3	IXYS	获取价格	Power MOSFET
IXFA20N50P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFA20N50P3_V01	IXYS	获取价格	Power MOSFET
IXFA20N85XHV	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFA220N06T3	LITTELFUSE	获取价格	60V TrenchT3?功率MOSFET是对低压Trench MOSFET产品系列的扩展
IXFA22N60P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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