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IXFA16N50P

更新时间： 2024-02-27 02:17:57

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描述
PolarHV HiperFET Power MOSFET

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IXFA16N50P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.31
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A
最大漏极电流 (ID)：	16 A	最大漏源导通电阻：	0.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	35 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFA16N50P 数据手册

PolarHV^TMHiperFET

Power MOSFET

V_DSS= 500V

I_D25= 16A

IXFA16N50P

IXFP16N50P

IXFH16N50P

R_DS(on)≤ 400mΩ

t_rr

≤ 200ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-263

(TAB)

TO-220

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C R_GS= 1MΩ

500

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

TO-247

I_A

E_AS

T_C= 25°C

750

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

(TAB)

300

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

= Drain

S = Source

TAB = Drain

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 Seconds

300

260

°C

Features

Mounting Torque

Mounting Force

(TO-220 & TO-247)

(TO-263)

1.13 / 10

10..65 / 2.2..14.6

Nmlb.in.

N/lb.

F_C^d

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

^zFast Intrinsic Diode

^zLow Package Inductance

Advantages

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

500

3.0

Typ.

Max.

^zSpace Savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 2.5mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

5.5

^zSwitched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

± 100 nA

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

I_DSS

15 μA

250 μA

T_J= 125°C

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

400 mΩ

DS99357F(05/09)

12 3 4

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IXFA16N50P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP16N50P	IXYS	完全替代	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA16N50P	IXYS	完全替代	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXFP16N50P	IXYS	类似代替	PolarHV HiperFET Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFA16N50P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA16N60P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA16N60P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFA180N10T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFA180N10T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFA180N10T2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA18N60X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA18N60X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA18N65X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA20N50P3	IXYS	获取价格	Power MOSFET

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