Datasheet > IXFA16N50P

IXFA16N50P

更新时间： 2024-11-22 14:56:51

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
6页	351K
描述
功能与特色: 优点: 应用:

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFA16N50P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.69	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A	最大漏极电流 (ID)：	16 A
最大漏源导通电阻：	0.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	35 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFA16N50P 数据手册

Polar ^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 500V

I_D25= 16A

R_DS(on) 400m

IXFA16N50P

IXFP16N50P

IXFH16N50P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXFA)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220 (IXFP)

T_J= 25C to 150C

500

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

D (Tab)

TO-247 (IXFH)

I_A

T_C= 25C

E_AS

750

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

300

D (Tab)

T_J

-55 ... +150

150

C

G = Gate

S = Source

= Drain

T_JM

T_stg

Tab = Drain

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated



Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Low Package Inductance

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 2.5mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

500



3.0

5.5

Applications

100 nA



I_DSS

15 A

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

T_J= 125C

250 A



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

400 m



Robotics and Servo Controls

DS99357H(6/18)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXFA16N50P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFA16N50P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA16N60P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA16N60P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFA180N10T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFA180N10T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFA180N10T2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA18N60X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA18N60X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA18N65X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFA20N50P3	IXYS	获取价格	Power MOSFET

与IXFA16N50P相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

27
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

19
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

47

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFA16N50P

IXFA16N50P 技术参数

IXFA16N50P 数据手册

与IXFA16N50P相关器件

与IXFA16N50P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFA16N50P

IXFA16N50P 技术参数

IXFA16N50P 数据手册

与IXFA16N50P相关器件

与IXFA16N50P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？